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英特尔和美光明年推新型芯片 速度提升千倍

时间:2020-08-29

  

  这种芯片可以大幅提升计算机、智能手机和其他高科技产品的性能。

  国外媒体报道称,英特尔和美光科技宣布新型?内存芯片,这种芯片可以大幅提升计算机、智能手机和其他高科技产品的性能。

  两家公司表示,这种芯片比目前多数移动设备采用的NAND闪存芯片快1,000倍,而存储容量是主流电子设备采用的DRAM(动态随机存取存储器)的10倍多。英特尔和美光计划于明年推出新型内存芯片。

  英特尔和美光透露,这项技术称为“3D Xpoint”。虽然速度无法与DRAM相提并论,但与DRAM芯片不同,即使在断电情况下,新型芯片依然可用保留数据(与NAND芯片相似)。

  ?英特尔和美光高层预计,新型芯片拥有极快的运行速度,这个优势可以催生出新式应用,并让其他领域受益,尤其是那些分析海量数据的领域,例如语音识别、金融诈骗检测和基因组学。

  美光首席执行官马克·德肯(Mark Durcan)表示:“这真是一场革命。”

  近年来,很多公司宣称自己在内存芯片领域取得巨大进展。因此,业界可能会激烈争辩新型内存技术的重要性。

  初创公司Crossbar战略营销和商业发展副总裁沙利文·杜布瓦(Sylvain Dubois)表示,英特尔和美光似乎效仿了Crossbar的电阻式RAM技术。“它们的技术与我们非常像。”他说。

  Everspin Technologies等公司认为,在DRAM级运行速度和持久数据存储芯片领域,它们已经取得领先。

  从2006年开始,英特尔就与美光合作。美光同样生产DRAM芯片。最近有报道称,紫光集团计划斥资230亿美元收购美光。美光尚未对此发表评论。

  市场研究机构IDC预计,今年全球内存市场规模达785亿美元。由于在缩小内存电路大小方面存在技术障碍,内存制造商一直寻求突破。英特尔、美光等NAND芯片制造商已经表示,它们已经不再追求这个目标,转而在芯片中堆积电路。

  英特尔和美光没有公布3D Xpoint技术细节,包括新型芯片所采用的主要材料。但它们表示,新型芯片以特有的方式存储数据。此外,这种存储方式可以单独管理数据存储单元。

  英特尔高级副总裁罗伯·克雷科(Rob Crooke)表示:“很多人认为这种技术不可能实现。”

  根据初步计划,英特尔和美光将生产可存储128Gb数据的双层芯片,存储容量与部分NAND芯片相当。双方还计划通过堆积更多的电路,进一步提升存储容量。

  芯片客户倾向于选择多家供应商同时提供的产品,如果一条产品线存在技术问题或生产问题,芯片客户可以选择其他产品线,从而减低风险。英特尔和美光将于今年底投产新型芯片样品,但双方计划单独控制这项技术。这项举措可能阻碍新技术发展。

  但市场研究机构TECHnalysis Research分析师鲍勃·奥多奈尔(Bob O'Donnell)认为,英特尔和美光是少数几家能够消除客户担忧的芯片制造商。